Transistor de efecto de campo (FET)
Mas conocido como transistor FET (field effect transistor) o JFET, es un transistor de tipo unipolar que controla el movimiento de cargas en su interior mediante un campo electrico o una fuente de tension. Dispone de tres terminales o patillas, denominados puerta (gate), drenador (drain) y fuente o surtidor (source). Se puede dedir que la puerta G, en los transistores FET, es el equivalente a la base de los transistores BJT, y que el drenador D y la fuente S son comparables al emisor y al colector.
Tienen algunas ventajas si se comparan con los BJT:
- Alta impedancia de entrada.
- Menor nivel de ruido.
- Mayor estabilidad ante cambios de temperatura.
- Baja potencia de consumo.
- Facil fabricacion.
- Se controla en tension.
Simbolos de los transistores FET de Canal P y N.
Polarizacion de los transistores FET
La principal ventaja de un FET respecto a un transistor bipolar es que la puerta G se controla en tension y no en corriente, por lo que se necesitan etapas previas de control. El transistor FET se comporta como una resistencia variable controlada con la tension negativa aplicada en su puerta G. Asi, cuanto mayor es el valor de la tension negativa, mayor es la resistencia entre los terminales S y D, y por tanto, menor es la corriente de carga.
Sin embargo, si el valor de tension en la puerta es de 0V, o proximo a el, el valor resistivo entre S y D se hace menor, y por tanto, el transistor permite mayor paso de corriente.
Polarizaciones de un FET canal N y P.
