viernes, 19 de enero de 2018

Simulación con MOFSET


MOFSET

La aplicación Applet  simula el comportamiento de un transistor MOSFET con una configuración en fuente común. Se pueden modificar todos los parámetros del transistor polarizado en continua, es decir, la tensión umbral Vt y el factor de transconductancia (K).Se pueden modificar los parámetros del circuito de polarización, es decir, la tensión de entrada (Vin), la tensión de alimentación (Vdd), así como los valores de las resistencias de drenador  (Rd) y puerta (Rg).

Esquema del simulador

 Bloques del simulador: El simulador tiene cinco zonas diferenciadas:

  1. Bloque de Resultados: En la parte central aparecen todos los parámetros del circuito y los resultados del análisis en continua.
  2. Recta de carga: El equivalente al bloque de resultados en forma gráfica. Se muestran las curvas características del transistor MOSFET, la recta de carga y el punto de trabajo.
  3. Circuito: La ventana del circuito muestra el circuito con los parámetros actualizados.
  4. Ecuaciones: La zona de ecuaciones muestra las ecuaciones correspondientes a la rama del circuito. El resultado de las mismas depende del estado del transistor.
  5. Control de parámetros: Esta zona se controla el valor de todos los parámetros del circuito. 
Modificar el valor de los parámetros de los elementos del circuito y del transistor es sencillo. Elegimos el parámetro y después ponemos el valor sin unidades y sin múltiplos. El valor se cambia seleccionando en el cuadro de texto vapl o con la barra de espacio. La barra recorre desde un mínimo y un máximo.

controles del simulador

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